| 專利名稱 | 薄膜電晶體及其製造方法 |
| 年度 | 105 |
| 專利國別 | 中華民國 |
| 發明人 | 鄭淳護 |
| 核准證號 | I559555 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 機電工程學系 |
| 專利簡介 | 本發明係關於一種薄膜電晶體及其製造方法。薄膜電晶體包含一基板、一雙通道半導體層、一半導體保護層、一閘極、一閘極介電層、一源極、及一汲極。該雙通道半導體層包含一第一半導體層及一第二半導體層。第一半導體層由一金屬氧化物半導體材料所製成，並形成於基板之上方。第二半導體層由該金屬氧化物半導體材料摻雜一吸氧金屬所製成，並形成於第一半導體層上。半導體保護層形成於第二半導體層上。閘極形成並位於基板之上方。閘極介電層形成於閘極與雙通道半導體層間。源極及汲極鄰近雙通道半導體層，形成而位於基板上方，並與雙通道半導體層電性連結。 |
| 專利期限 | 2034/03/12 |
| 技術領域 | 電子工程 |
| 適用產業別 | 19.電腦、電子產品及光學製品業 |
| 技術應用方式與預期產品說明 | 本專利具產業利用性，適用於平面顯示器之相關應用，如手機、電視、PDA、數位相機、筆記型電腦。 |
| 關鍵字 | 電晶體、半導體 |
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