Title | THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME |
Year | 2016 |
Country | TW |
Inventor | ZHENG, CHUN-HU |
Cert. No. | I559555 |
Introduction | 本發明係關於一種薄膜電晶體及其製造方法。薄膜電晶體包含一基板、一雙通道半導體層、一半導體保護層、一閘極、一閘極介電層、一源極、及一汲極。該雙通道半導體層包含一第一半導體層及一第二半導體層。第一半導體層由一金屬氧化物半導體材料所製成,並形成於基板之上方。第二半導體層由該金屬氧化物半導體材料摻雜一吸氧金屬所製成,並形成於第一半導體層上。半導體保護層形成於第二半導體層上。閘極形成並位於基板之上方。閘極介電層形成於閘極與雙通道半導體層間。源極及汲極鄰近雙通道半導體層,形成而位於基板上方,並與雙通道半導體層電性連結。 |
Validity | 2034/03/12 |
Domain | Electronic_Engineering |
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