| 專利名稱 | 轉印石墨烯層之方法 |
| 年度 | 104 |
| 專利國別 | 中華民國、美國 |
| 發明人 | 陳家俊 |
| 共同發明人 | 陳俊維、王迪彥、黃奕盛 |
| 核准證號 | I485290、US8,926,852B2 |
| 屬性 | 非本校 |
| 研發單位 | 化學系 |
| 專利簡介 | 本發明揭露一種轉印石墨烯層之方法，其係藉由靜電荷將形成於金屬載體層上之石墨烯層靜電吸附至基板上，接續浸泡於蝕刻液中以去除金屬載體層，從而完成石墨烯層的轉印。本發明除了可以提供一種簡易的石墨烯層的轉印方法，更改善有機物遺留的問題，從而增進了轉印後石墨烯層的電性品質。 |
| 專利期限 | 2033/02/27 |
| 技術領域 | 化學 |
| 適用產業別 | 10.化學材料業 |
| 技術應用方式與預期產品說明 | 本發明提供一種轉印石墨烯層之方法，以改進先前技術中所存在的有機物遺留之問題。 |
| 關鍵字 | 石墨烯層 |
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