| 專利名稱 | 採用對準式背向閘極及負電容鐵電介電質之多閘極高電子遷移率場效電晶體及其製造方法 |
| 年度 | 106 |
| 專利國別 | 中華民國 |
| 發明人 | 鄭淳護 |
| 共同發明人 | 張俊彥、邱于建、林宜鋒、劉謙 |
| 核准證號 | I608607 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 機電工程學系 |
| 專利簡介 | 本發明揭露一種多閘極高電子遷移率場效電晶體及其製造方法。多閘極高電子遷移率場效電晶體包含基材、通道層、阻障層、複數個閘極、複數個對準式背向閘極及負電容鐵電介電質。通道層設置於基材上方。阻障層設置於通道層上方。複數個閘極分別設置於阻障層上方並往下延伸至阻障層內。複數個對準式背向閘極分別相對於該複數個閘極而設置於基材下方並往通道層延伸。負電容鐵電介電質分別設置於複數個閘極與阻障層之間以及複數個對準式背向閘極與基材之間。 |
| 專利期限 | 2037/06/22 |
| 技術領域 | 電子工程 |
| 適用產業別 | 19.電腦、電子產品及光學製品業 |
| 技術應用方式與預期產品說明 | 本專利具產業利用性，適用於半導體產業、光電產業之相關應用，如Schottky diode 、RF device、High-voltage HEMT、Power device、Power switch。 |
| 關鍵字 | 半導體、負電容鐵電 |
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