| 專利名稱 | 單層二維材料的製備方法及分析方法 |
| 年度 | 112 |
| 專利國別 | 中華民國 |
| 發明人 | 劉沂欣 |
| 共同發明人 | 莊凱鈞、李祺、徐晟智 |
| 核准證號 | I 796852 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 化學系 |
| 專利簡介 | 一種單層二維材料的製備方法，包括以下步驟：提供二水合醋酸鹽類，具有通式M(CH 3COO) 2·2H 2O，其中M可為金屬離子鎘或鋅。將二水合醋酸鹽類溶於乙二胺，並加熱至60℃兩小時，以形成金屬陽離子前驅物溶液。提供硫族元素粉末，其中硫族元素粉末是選自硫、硒或碲。將硫族元素粉末與硼氫化鈉溶於乙二胺，在室溫下靜置24小時，以形成硫族元素前驅物溶液。將金屬陽離子前驅物溶液與硫族元素前驅物溶液混合，形成混合溶液。將混合溶液置入高溫高壓反應釜以進行反應，形成單層二維材料。本發明另提供一種單層二維材料自旋性質及自旋電子學量測的分析方法。 |
| 專利期限 | 2041/11/28 |
| 技術領域 | 化學工程 |
| 適用產業別 | 10.化學材料業 11.化學製品業 |
| 技術應用方式與預期產品說明 | 應用於開發磁性量子材料的電子元件候選材料。其室溫下穩定的物理化學性質表現與多功能的光學性質，可以評估半導體供應鏈的量子材料的設計與改良，以利於開發未來具潛力磁自旋量子學及半導體電子元件的產業應用評估。 |
| 關鍵字 | 單層二維材料、自旋、二水合醋酸鹽類 |
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