| 專利名稱 | 異質接面薄本質層太陽能電池的製造方法 |
| 年度 | 108 |
| 專利國別 | 日本 |
| 發明人 | 李敏鴻 |
| 共同發明人 | 陳治瑜、劉箐茹、張書通 |
| 核准證號 | 特許6564447 |
| 屬性 | 本校 |
| 研發單位 | 光電工程研究所 |
| 專利簡介 | 一種異質接面薄本質層太陽能電池，包括矽晶基板、本質非晶矽層、摻雜非晶矽層、透明導電層以及兩電極層。本質非晶矽層接觸摻雜非晶矽層與矽晶基板，並位於摻雜非晶矽層與矽晶基板之間。本質非晶矽層與摻雜非晶矽層兩者個別的厚度低於50奈米，且本質非晶矽層與摻雜非晶矽層皆由電子束蒸鍍而形成。透明導電層形成於摻雜非晶矽層上。兩電極層分別形成在透明導電層上與矽晶基板上，其中矽晶基板位於這兩層電極層之間。 |
| 專利期限 | 2037/12/26 |
| 技術領域 | 光電工程 |
| 適用產業別 | 21.電力設備製造業 |
| 技術應用方式與預期產品說明 | 本發明是有關於一種太陽能電池的製造方法，且特別是有關於一種異質接面薄本質層太陽能電池的製造方法。 |
| 關鍵字 | 太陽能電池 |
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