| Title | HYBRID STORAGE MEMORY |
| Year | 2021 |
| Country | TW |
| Inventor | CHENG, CHUN-HU |
| Cert. No. | I 744663 |
| Introduction | 本發明提供一種混合式儲存記憶體，利用於該記憶體形成由負電容鐵電層及反鐵電層堆疊而得的儲存層疊結構，而得以有效改善記憶體的漏電流和次臨界擺幅特性，並提升操作耐受度。 |
| Validity | 2039/07/01 |
| Domain | Electronic_Engineering |
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